微电子封装的关键技术

　　发展微电子封装技术，旨在使系统向小型化、高性能、高可靠性和低成本目标努力，从技术发展观点来看，作为微电子封装的关键技术主要有：TCP、BGA、FCT、CSP、MCM和三维封装。

　　1、带载封装

　　带载封装（TCP），是在形成连接布线的带状绝缘带上搭载LSI裸芯片，并与引线连接的封装。与QFP相比，TCP的引线间距可以做得更窄，而且外形可以做得更薄，因此，TCP是比QFP更薄型的高密度封装，它在PCB板上占据很小的面积，可以用于高I/O数的ASIC和微处理器。

　　2、栅阵列封装

　　栅阵列封装（BGA），是表面安装型封装的一种，在印刷电路基板的背面，二维阵列布置球形焊盘，而不采用引线针脚。在印刷电路板的正面搭载LSE芯片，用模注和浇注树脂封接，可超过200针，属于多针的LSI用封装。封装体的大小也比QFP小。而且BGA不像QFP，不用担心引线的变形。

　　3、倒装芯片技术

　　倒装芯片技术（FCT），是将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。这种方式能提供更高的I/O密度。它的主要优点是：①外形减小尺寸。②提高电性能。③高的I/O密度。④良好散热性。⑤改善疲劳寿命，提高可靠性。⑥裸芯片的可测试性。

　　4、芯片规模封装

　　芯片规模封装（CSP），主要有适用于储存器的少引脚CSP和适用于ASCI的多引脚CSP，具体为芯片上引线（LOC）、微型球栅阵列（MBA）和面阵列（LGA）。它的主要优点是：容易测定和老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便。

　　5、多芯片模式

　　多芯片模式（MCM），是指多个半导体裸芯片表面安装在同一块布线基板上。按基板材料不同，分为MCM-L、MCM-C、MCM-D三大类。

　　①MCM-L是指用通常玻璃、环氧树脂制作多层印刷电路基板的模式。布线密度高而价格较低。

　　②MCM-C通过厚膜技术形成多层布线陶瓷，滨海高以此作为基板。布线密度比MCM-L高。

　　③MCM-D通过薄膜技术形成多层布线陶瓷或者直接采用Si、Al作为基板，布线密度最高，价格也高。

　　6、三维（3D）封装

　　三维封装，即是向空间发展的微电子组装的高密度化。它不但使用组装密度更高，也使其功能更多、传输速度更高、功耗更低、性能及可靠性更好等。