半导体二极管的参数

   半导体二极管的参数包括最大整流电流I_F、反向击穿电压V_BR、最大反向工作电压V_RM、反向电流I_R等。几个主要的参数介绍如下：
    (1) 最大整流电流I_F——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
    (2) 反向击穿电压V_BR和最大反向工作电压V_RM——二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压V_BR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压V_RM一般只按反向击穿电压V_BR的一半计算。
    (3) 反向电流I_R——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(mA)级。
    (4) 正向压降V_F——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。