编程单元:PLD中用来存放数据的基本单元 1、浮栅编程技术 用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM,即已写入的内容可以擦去,也可以重新写入新的内容。 (一)叠栅型(SIMOS)存储单元 浮栅上的电荷无放电通路,没法泄漏。 用紫外线照射芯片上的玻璃窗,则形成光电电流,把栅极电子带回到多晶硅衬底,SIMOS管恢复到初始的导通状态。 2、闪速型(Flash)存储单元 闪速存储单元又称为快擦快写存储单元。下图是闪速存储单元剖面图。 闪速存储单元去掉了隧道型存储单元的选择管,它不像E2PROM那样一次只能擦除一个字,而是可以用一个信号,在几毫秒内擦除一大区段。 3、六管静态存储单元 闪速存储单元的可再编程能力约为10万次左右,但还是不及SRAM那样有无限制的再编程能力,以SRAM为存储单元的现场可编程门阵列(FPGA)可以实现无限次从一种运行逻辑转换到另一种运行逻辑的功能。 |
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GMT+8, 2021-12-6 21:08