MOS型集成门电路是单极型晶体管。绝缘栅场效应管也就是金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管。MOS场效应管具有制造工艺简单,集成度高,功耗低,抗干扰能力强等优点,主要缺点是工作速度较低。MOS场效应管有N沟道和P沟道两类,每一类又有增强型和耗尽型之分。在本节集成门电路中用的都是增强型场效应管。 1. 下图NMOS“非”门电路, “非”门电路也称为反相器。 当输入端A为“1”时,T1的栅-源电压UGS大于它的开启电压,T1导通。由于T2的栅极与漏极相联,并接到正电源UDD上,其栅-源电压也大于开启电压,T2总是处于导通状态。而T1的导通电阻远比T2的小,其管压降很小,故输出端Y为“0”。 当输入端A为“0”时,T1的栅-源电压低于它的开启电压,T1截止,输出端Y为“1”。 2.下图是NMOS“与非”门电路 3. 下图为NMOS“或非”门电路, |
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GMT+8, 2021-12-6 21:12