在不添加任何偏置电路的情况下三极管和MOS管，谁的关断速度又快又彻底？

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在不添加任何偏置电路的情况下，三极管和MOS管，谁的关断速度又快又彻底?
★在不添加任何偏置电路的情况下，三极管和MOS管组成的电路都不会导通，也就不存在它们两者之间的关断速度又快又彻底。

★以晶体三极管锗材料组成的三极管或者晶体三极管硅材料造成的NPN、PNP三极管来说，锗材料的三极管组成的电路，在三极管基极必须加上0.25v的电压，让三极管基极有一定电流，工作在导通状态，才能够工作在放大区，无偏置电阻，基极无法导通，即便是截止区也不会导通。而硅材料组成的晶体三极管基极的电压为0.65v，和上述情况一样，没有偏置电路，三极管的截止区、放大区、饱和区都无法形成。

再者，晶体三极管的开关频率常用的的开关三极管最高工作频率为100MHz（9012），（5551的可以到达300MHz），大多数为几十KHz。见下图所示。

★电力场效应晶体管力场效应管（MOSFET)是近些年获得最快发展的一种单极型电压控制器件，不但有自关断能力，而且具有输入阻抗高、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达500 kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点。可应用于DC / DC变换、开关电源、便携式电子设备压等电器设备中，但工作电压还不能太高，电流容量也不能太大，所以目前只适用于小功率电力电子装置。
①电力场效应晶体管的结构和工作原理
★电力场效应晶体管有多种结构形式，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又耗尽型和增强型之分。此处以应用较广泛的单极VDMOSFET， N沟道增强型为例，介绍电力场效应晶体管的结构和工作原理，其内部结构和图形符号如图下图所示。

电力场效应晶体管有三个引脚:源极S、栅极G、漏极D，在漏极接电源正极、源极接电源负极时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导通，管子处于截止状态。若在栅极和源极之间加一正向电压Ugs，并使Ugs等于或大于管子的开启电压Ut，此时管子开通，漏、源极间有电流Id流过。Ugs超过Ut越大，导电能力越强，漏极电流越大。
在图的a中的A点处，源极金属电极将N⁺区和P区连接在一起，因此源、漏极之间形成了一个寄生二极管，场效应晶体管内部无反向电压阻断能力，常用图中b表示。在变流电路中，为避免过大的反向电流流过该器件而导致元件损坏，常在该器件外部并接快速二极管VD2和串接二极管VD1，如图c所示。