不能用单片机I/O口直接控制场效应管的场合

admin

我们知道场效应管是一种压控型器件，对于大功率场效应管要想使它充分导通，就要给栅极一个较高的电压，例如我在维修电磁炉时就可以看到，作为控制LC振荡的绝缘栅场效应管（IGBT），它需要18V的电压才能满足绝缘栅场效应管的驱动要求，由于单片机的输出电压是5V，远远达不到场效应管导通的要求，因此就无法直接用单片机的I/O口去控制。这时电路就采用了两个三极管来组成推挽式的电路，去驱动场效应管。单片机先控制一个运放电路，然后再用三极管去驱动场效应管的，其原理图如下图所示。

由此可见，MOS管能不能用单片机I/O口直接去驱动，要看具体的电路来确定。当用到小功率的场效应管是可以直接用单片机去驱动的，我在维修中常见到的SOT-23封装的、TO-92封装的小型场效应管都可以用单片机I/O口直接驱动，对与大功率场效应管比如TO-220封装的大功率场效应管，则必须外加驱动电路才可以驱动它，用三极管作为驱动电路就是常见的一种类型。