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IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管,它和晶体管很类似,也有集电极C和发射极E,但是它的驱动部分反而和场效应管很类似,它是绝缘栅结构的。因此IGBT是一种高速度、大功率的半导体功率器件。
IGBT的工作特点是需要在它的栅极G与发射极E(源极)之间加一个由驱动电路给的控制电压信号Uge,因为这个器件的输入电阻抗是非常的高的,所以它的栅极电流是非常小的,这就说明它的驱动功率也是较小的,比如家用电磁炉中的栅极驱动电压一般达到18伏就可以使它处于导通了,一但导通之后它的集电极就可以通过非常大的电压,截止时其集电极C和发射极E之间也能承受很高的电压。比如在变频器中IGBT就可以承受一千多伏的高压,集电极可以流过上千伏的电流。这样IGBT就是一个以低压控制高压和大电流的半导体器件。
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