igbt门极驱动电流

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IGBT驱动电流即为门极电流，门极电压和发射极、集电极之间通过的电流关系如下图（Vfm为门极电压，IGBT是电压控制元件）：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT是电压控制元件，IGCT才是电流控制元件。