KP型普通可控硅常见故障分析

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KP型可控硅性能的稳定可靠，对于可控整流器的良好运行来说是极为重要的。可控硅虽具有很多优点，但是，它的过载能力较差，若线路设计不当、选配可控硅技术参数不合理，或者可控硅工作时不符使用条件、操作失误，都有可能使可控硅特性下跌，被击穿损坏，造成停机故障。这时须采取有效措施，迅速排除故障，使整流器恢复正常。
一、故障现象：有的可控硅整流器调试时，加上触发脉冲就导通，脉冲消失又关断。
原因分析：1.负载电路电阻太大，而选用可控硅的掣住电流也偏大；2.电感性负载，则由于触发脉冲不够宽所造成。
采取措施：1.增大负载电流；2.改进触发电路，使输出脉冲足够宽。
二、故障现象：送上触发信号可控硅还不导通
原因分析：1.可控硅门极断开或短路；2.触发电路输出功率小；3.主回路没有接负载；4.脉冲变压器二次侧极性接错，或者门极与阴极之间并接的二级管被击穿短路。
采取措施：1.用三用表检查可控硅门极与阴极的阻值，若发现损坏，则更换可控硅；2.改进触发电路，增大触发电流幅值；3.接上主回路负载；4.纠正脉冲变压器二次侧接线，或者调换一只二极管。
三、故障现象：可控硅失控（即主回路合上电源后，不加触发脉冲就导通）
原因分析：1.可控硅门极引线受到干扰信号引起误触发，或者主回路与触发回路同步有问题2.工作环境温度超过规定要求3.可控硅门极触发电流和维持电流偏小，或者额定电压偏低。
采取措施：1.整理布线，消除干扰，或者在电路中增设反干扰环节，同时检查同步相位；
2.加强通风冷却，降低环境温度3.按照使用要求，合理选择可控硅技术参数。
四、故障现象：可控硅在轻载时工作正常，但是，通大电流时造成失控
原因分析：1.可控硅高温特性差，在大电流时失去正向阻断能力；2.整流变压器漏抗引起波形畸变。
采取措施：1.更换可控硅；2.解决整流变压器漏抗匹配问题。
五、故障现象：单相桥式可控硅整流电路中负载为电感性质，可控硅有时正常，有时失控。
原因分析：1.电路中没有续流二极管；2.选用可控硅维持电流太小。
采取措施：1.在负载两端并接一只续流二极管；2.选择维持电流较大的可控硅。
六、故障现象：水冷型可控硅整流器运行时突然击穿烧坏几只可控硅
原因分析：1.断水使可控硅工作结温急剧上升，致使可控硅击穿短路；2.可控硅管壳绝缘陶瓷圈表面有水珠或积尘导电，使阳极与阴极、门极与阴极之间  形成短路；3.可控硅绝缘底座积尘导电，使阳极或阴极对地短路；4.主回路过电流保护环节不起作用。
采取措施：1.检查水路，保证畅通无阻；2.清除灰尘，擦干水珠；3.检侧可控硅阳极或阴极对地之间耐压绝缘状况，清除灰尘，保证可控硅底座对地绝缘性能良好；4.合理调整过电流保护环节的整定值。
七、故障现象：可控硅整流器搁置多年不用时，当输出端接上500W左右灯泡，主回路合闸通电进行调试时，就发生烧坏快速熔断器或可控硅。
原因分析：可控硅存放两年以上，它的特性可能下跌。一且通电，因失去阻断能力而被击穿，（其击穿部位往往集中在管芯硅片的一个点上)，然后造 成三相交流电源相间短路，致使烧坏快速熔断器和可控硅。
采取措施：1.在合闸通电之前，应对可控硅主要特性参数进行检测和筛选工作；2.如发现可控硅不符使用要求，应及时更换。
八、故障现象：可控硅工作不久，发热异常
原因分析：1.导通角太小，造成电路(特别是对于单相半波可控整流电路)中电流有效值太大所引起；2.可控硅与散热器没有拧紧；3.水冷型可控硅流量不足，风冷型可控硅风速太小
采取措施：1.改进电路；2.可控硅与散热器必须拧紧，保证接触良好；3.解决冷却问题，应符合使用要求。
九、故障现象：可控硅整流器采用三相全控桥式电路。在测试时，接电阻性负载，工作正常，但是，当接上大电机重负载运行后，突然发生电源相间短  路，烧坏可控硅和快速熔断器。
原因分析：电路中有一组桥臂可控硅维持电流值太小，造成换相时关不断，导致整流变压器副边三相交流电源相间短路。
采取措施：选用维持电流值较大的可控硅。
十、故障现象：可控硅在正常使用中突然击穿短路。
原因分析：1.输出端发生短路或过载，过流保护不完善，快速熔断器不符使用要求；2.输出接大电容负载，在触发导通时，电流上升率太大；3.可控硅性能不稳定，正向压降太大，温升太高。
采取措施：1.解决短路问题，改进过流保护电路，合理选配快速熔断器；2.增大交流侧电抗器容量，限制电流上升率或限制短路电流；3.更换可控硅。

襄阳硅海电子主要产品有普通可控硅、快速可控硅、高频可控硅、双向可控硅等，同时生产可控硅模块、功率半导体组件、电力半导体用散热器等。
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