电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的？或者说是过温其他什么原因导致的？

admin

电子元器件的品种繁多，包括了常用的电阻器、电容器、电感器、半导体二极管、半导体晶体管、晶闸管、场效应管、压电器件、霍尔器件、光电器件、表面组装器件、集成电路、数码显示器件、开关、接插件、继电器等。

电子元器件其损坏被烧毁的有可能是因为选择的技术参数过小或者因为选择不当损坏的。有可能是因为电子元器件的耐压值不够，而施加在电子元器件过电压损坏；也有可能是因为流过电子元器件的电流超过额定电流而损坏的。总而言之过电压、过电流都有可能损坏电子元器件的。

可以说所有的电子元器件它们都有技术参数的。这里本人以半导体晶体管来说，晶体管主要特性参数有直流参数，它包含了晶体管共射级直流放大倍数β，集电极反向截止电流Iᴄʙᴏ；交流参数有共射级交流放大系数β；晶体管极限参数，如集电极最大允许电流Iᴄᴍ。

（1）如果集电极电流过大时,晶体管的B会下降,集电极电流和p之间的关系可以查找它的伏安特性曲线图，β下降至2/3或1/2时对应的集电极电流,被称为集电极最大允许电流Icᴍ。应用时,Ic > Icᴍ不一定会损坏晶体管,但β已经明显减小时作为放大器件的晶体管的Ic最好不超过Icᴍ值。

(2)集电极——发射极击穿电压U (br)ᴄᴇᴏ(BUceo)

它是指晶体管基极开路时施加于集电极与发射极之间的最大允许电压;集电极与发射极之间的电压切不可超过U (br)ᴄᴇᴏ。当温度升高时,击穿电压会下降,而实际使用时,施加于集电极……发射极之间的电压应小于U (br)ᴄᴇᴏ，通常取为U (br)ᴄᴇᴏ的1/2比较安全。但值得注意的是晶体管对过电压的承受能力很差,一旦被反向击穿,晶体管则可能永久损坏。

(3)集电极最大允许耗散功率Pᴄᴍ

晶体管集电极电流通过集电结所要耗散的功率越大,则集电结的温升越高,根据晶体管所允许的最高温度,即可确定集电极最大允许耗散功率Pcᴍ。小功率管的Pcᴍ应在几十至几百毫安,大功率管的Pcᴍ应在1 w以上,由于Pcᴍ与温度有密切关系,故为了提高Pcᴍ,大功率晶体管通常需要安装散热片。

晶体管种类繁多，各类电子设备与电子电路对晶体管性能的要求也不同，所以应该根据应用电路的具体区域来合理选择晶体管的类型与技术参数等。

电阻器属于电子元器件最基本的元器件，下面说说它的参数选择吧。

普通电阻器(包括碳膜电阻器,金属膜电阻器,金属氧化膜电阻器,玻璃釉电阻器,合成碳膜电阻器,线绕电阻器,排电阻器等)的选用原则及注意事项;而因其用途和功能的特殊性,各类敏感电阻器及熔断电阻器,水泥电阻器等的选用方法。

普通电阻器种类繁多、特性各异,且不同类型电路所需的电阻器特性亦不相同,因此, 普通电阻器的选用是一个需要综合考虑多方面因素的过程。通过对大量电路设计实例的总结归纳,提出电阻器选用过程应着重注意如下几个方面问题。

(1)正确选取电阻器的阻值与误差

①阻值选取电路中电阻器的设计阻值应接近实际电阻器产品的标称阻值。若设计阻, 值不能与国家标准规定的系列标称阻值完全吻合,则应选一个靠近的标称值。

选取的原则是电路设计阻值与标称阻值的差值,越小越好;若设计阻值与标称阻值相差 较大,则应通过多个电阻器的串、并联来解决。

例如,某一电路所需的电阻器设计阻值为3.2KΩ,该阻值不在系列标称值的范围内,电路的要求不高时,可选用标称值为3.3KΩ的电阻器近似;若电路要求较高,则可将一个标称值为1.0 kΩ的电阻器和一个标称值为2.2 kΩ的电阻器,通过串联方式解决这一个问题。

②误差选取电阻器误差的选取以电路的具体要求为准。对于RC电路而言,其中的电阻器误差应尽可能小,一般会选为5%;而对于退耦电路,反馈电路,滤波电路,负载电路等,其误差要求较低,故电阻器的误差可选在10% ~ 20%。

(2)正确选择电阻器的极限电压

极限电压是每个电阻器都具有的参数,若实际电路电压超出了电阻器的极限电压值,即 使能够满足功率要求,电阻器仍会被击穿而损坏。电阻器极限电压的计算公式为:

U =√PR

式中P是电阻器的额定功率,W;R是电阻器的阻值,Ω;

U是电阻器的极限电压,V。

设计电路时,需根据电阻器的额定功率和标称阻值来确定其极限电压的数值,并根据极限电压值来确定电阻器的相应型号。

(3)正确选取电阻器的额定功率

选取原则是电阻器在电路中所承受的功率不得超过其额定功率。为保障电阻器能在电路中长期正常工作，选取其额定功率时必须留有足够的余量。经验表明，所选电阻器的额定功率应大于实际承受功率的2倍以上，只有这样才能够确保电阻器在电路中的长期稳定工作。

dudu4832965

学习了，感谢付出