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三极管的基本参数

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发表于 2020-11-12 20:31:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三极管是常用的半导体器件,主要由P型半导体和N型半导体构成,从半导体的构成上有可以分为NPN三极管和PNP三极管。主要有三个电极,分别为:基极b、发射极e和集电极c。三极管的半导体结构如下图所示。
三极管的基本参数
三极管是电流型控制的器件,在基极加以微弱的电流就可以控制集电极上的较大电流,根据基极电流和集电极电流的关系,三极管具有三种工作状态,分别为:截止区,放大区和饱和区。三个工作区域如下图所示。
三极管的基本参数
以NPN三极管为例,详述一下三极管的三个工作区域。如下:
三极管的截止区
当发射结反偏时,基极电流为零,流过集电极的电流也为零,集电极和发射极之间处于断路状态,此时三极管截止。
三极管的放大区
当发射结正偏,并且集电极反偏,基极电流的改变会引起集电极电流的较大变化,呈现一定的线性关系,此时电流满足β=ΔIc/ΔIb的关系,称三极管处于放大区域。
三极管的饱和区
发射结正偏,流过基极的电流增大到一定程度后,集电极的电流不会再随着基极电流的增大而增大,而是处于一定值附近,集电极和发射极之间的电压非常小,相当于短路状态,称之为三极管的饱和状态。
从上面的描述可以知道,三极管既可以起到小信号的放大作用,又可以起到开关作用。

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