怎么判断k4107 MOS大功率场效应管好坏？

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怎么判断K4107三极管的好坏?
答:K4107不是普通大功率三极管，它是一种MOS大功率场效应管，它是一种电压控制器件；K4107为N沟道结型场效应管，其耐压值为500V，电流15A。见下图所示。

这种结构的场效应管不像三极管那样分为基极b、发射极e、集电极c；它分为栅极G、源极S、漏极D。见下图所示。

用上图方式判断K4107管是最好的方法；用二个直流开关电源作为场效应管的工作电压，其中一个电源电压调整到DC20V，另一个直流电源调整在DC10V，作为栅极控制电压；在漏极D上串联一只24V直流小灯泡，灯泡的另一头接直流电源的正极20V，源极S接直流电源的负极，栅极G不直流10V电压，此时灯泡不亮则说明场效应管这时候暂时没问题；接下来在栅极与源极之间加上10直流电压，看此时的灯泡💡的变化，如果这时候灯泡亮了，则说明这个场效应管是好的。
本人使用测试这种MOS，不会用万用表测量，怕场效应管因为静电感应损坏它。平时就使用上述方法，简单可靠。
上述方法简单地说，就是利用它的三个引脚:源极S、栅极G、漏极D，在漏极接电源正极、源极接电源负极时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导通，管子处于截止状态。若在栅极和源极之间加一正向电压Ugs，并使Ugs等于或大于管子的开启电压U，此时管子开通，漏、源极间有电流Id流过。Ugs超过Ut越大，导电能力越强，漏极电流越大。
见下图所示。

在图1-1a中的A点处，源极金属电极将N区和P区连接在一起，因此源、漏极之间形成了一个寄生二极管，MOSFET内部无反向电压阻断能力,常用图1-1b表示。在变流电路中，为避免过大的反向电流流过该器件而导致元件损坏，常在该器件外部并接快速二极管VD2和串接二极管VD1，如图1-1c所示。
在N沟道增强型 MOSFET器件中，当栅源电压Ugs为负值时，不可能出现沟道，因而无法沟通源区与漏区，即使栅源电压为正但数值不够大时，同样不会出现沟道，使源区与漏区沟通。因此，在上述两种情况下，MOSFET都处于关断状态，即使加上正向漏极电压Ugs，也没有漏极电流Id出现。只有当栅源电压等于或大于开启电压时，才能形成沟道，把源区和漏区沟通，在正向漏极电压下，使 MOSFET进入导通状态。
平时在应用电力场效应晶体管的注意，防止静电击穿。由于MOSFET具有很高的输入阻抗，因此，在静电较强的场，所泄放电荷困难，容易引起静电击穿，损坏器件，应予以防止。