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绝缘栅晶体管的内部结构与工作过程

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发表于 2020-11-3 07:56:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
我们从绝缘栅晶体管的内部可以看到,它相当于一个PNP型的三极管和增强型NMOS管组合而成的一个大功率器件,这主要是借助了场效应管的输入阻抗很高,致使它的输入电流小,同时它又借助了三极管导通的时候集电极C和发射极E之间的电压降非常的低。这个管子的结构特点决定了它可以经受住很高的电压,总的来说这个管子就是一个可以工作在高电压、高速度的场合,因此它主要当作大功率器件来用。我们可以在变频器开关电源、电焊机、电磁炉等快速低损耗的场合使用。
绝缘栅晶体管的内部结构与工作过程

当要使绝缘栅晶体管导通工作时,只要在栅极G和发射极E之间加一个大约在2V到6V的开启电压后,集电极C和发射极E之间就会导通了,一但导通之后Uce之间的压降会变得非常小,像用一根导线连接起来一样;当栅极G和发射极E之间的电压为零的时候,绝缘栅晶体管就会截止,Uce之间的压降就会很高,就像导线断开一样。因此这个管子的工作是由栅极G和发射极E之间所加的电压来决定的。

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